Four CVD & PECVD
Four tubulaire PECVD incliné rotatif pour dépôt chimique amélioré par plasma
Numéro d'article : KT-PED
Le prix varie en fonction de Spécifications et personnalisations
- Température de chauffe
- ≤800℃
- Degré de vide
- ≤5×10-5Pa
- Puissance de sortie
- 500W — 1000W
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Machine de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD)


Systèmes PECVD avancés par KINTEK : Revêtement de précision, adapté à vos besoins
S'appuyant sur une R&D exceptionnelle et une fabrication interne, KINTEK propose des systèmes de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) de pointe, conçus pour de nombreuses applications laboratoires et industrielles. Le procédé PECVD est une technique de dépôt de couches minces sous vide sophistiquée qui utilise le plasma pour activer les gaz précurseurs. Cela permet de créer des revêtements uniformes de haute qualité à des températures bien plus basses que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) traditionnel, élargissant les possibilités pour les substrats sensibles à la chaleur (comme les plastiques) et une large gamme de matériaux de revêtement (notamment les diélectriques, les semi-conducteurs et les isolants).
Nos machines PECVD sont une offre clé de la gamme complète de solutions de fours haute température avancés de KINTEK, qui comprend également les fours à moufle, les fours tubulaires, les fours rotatifs, les fours sous vide et à atmosphère contrôlée, ainsi que d'autres systèmes CVD/MPCVD. Nous sommes fiers de notre forte capacité de personnalisation approfondie, garantissant que votre système PECVD est conçu précisément pour répondre à vos exigences expérimentales et de production uniques.
Caractéristiques clés
Les machines de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) de KINTEK offrent une gamme de fonctionnalités conçues pour une performance et une polyvalence supérieures :
- Dépôt à basse température : Permet la formation de films de haute qualité sur des substrats délicats ou à faible point de fusion sans dommage thermique, élargissant considérablement la compatibilité des matériaux.
- Taux de dépôt élevés : Permet une croissance rapide du film, maximisant le débit, réduisant le temps de traitement et augmentant la productivité globale.
- Films uniformes et résistants à la fissuration : Produit des revêtements avec une exceptionnelle cohérence d'épaisseur et de propriétés sur l'ensemble du substrat, minimisant les défauts tels que les fissures pour des résultats fiables et durables.
- Excellente adhérence sur le substrat : Garantit une forte liaison entre le film déposé et le matériau du substrat, conduisant à une performance durable et empêchant le délaminage.
- Capacités de revêtement polyvalentes : Prend en charge le dépôt d'une large gamme de matériaux, tels que SiO2, SiNx, SiOxNy, et bien d'autres, répondant à divers besoins d'application.
- Revêtement conforme sur des géométries complexes : Capable de revêtir uniformément des substrats avec des formes et des topographies complexes, assurant une couverture complète et une performance optimale.
- Conception conviviale : Conçu pour des exigences de maintenance faibles et une installation simple, minimisant les temps d'arrêt et simplifiant l'intégration dans votre flux de travail.
Spécifications techniques
| Porte-échantillon | Taille | 1 à 6 pouces |
| Vitesse de rotation | 0-20 tr/min réglable | |
| Température de chauffe | ≤800℃ | |
| Précision de contrôle | ±0,5℃ Contrôleur PID SHIMADEN | |
| Purge de gaz | Débitmètre | Contrôleur de débit massique (MFC) |
| Canaux | 4 canaux | |
| Méthode de refroidissement | Refroidissement par eau en circulation | |
| Chambre à vide | Taille de chambre | Φ500mm X 550mm |
| Orifice d'observation | Orifice de vue complète avec déflecteur | |
| Matériau de chambre | Acier inoxydable 316 | |
| Type de porte | Porte à ouverture frontale | |
| Matériau du chapeau | Acier inoxydable 304 | |
| Orifice de pompe à vide | Brides CF200 | |
| Orifice d'entrée de gaz | Connecteur φ6 VCR | |
| Puissance plasma | Puissance source | Courant continu ou radiofréquence |
| Mode de couplage | Couplage inductif ou capacitif par plaque | |
| Puissance de sortie | 500W — 1000W | |
| Puissance de polarisation | 500v | |
| Pompe à vide | Pré-pompe | Pompe à palettes 15L/S |
| Orifice de pompe turbo | CF150/CF200 620L/S-1600L/S | |
| Orifice de décompression | KF25 | |
| Vitesse de pompage | Pompe à palettes : 15L/s, Pompe turbo : 1200l/s ou 1600l/s | |
| Niveau de vide | ≤5×10-5Pa | |
| Capteur de vide | Jauge d'ionisation/résistance / jauge à membrane | |
| Système | Alimentation électrique | AC 220V /380 50Hz |
| Puissance nominale | 5kW | |
| Dimensions | 900mm X 820mm X870mm | |
| Poids | 200kg |
Applications
Les machines de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) de KINTEK offrent une solution polyvalente pour un large éventail d'industries et d'applications de pointe :
- Éclairage LED : Dépôt de films diélectriques et semiconducteurs de haute qualité, essentiels pour des diodes électroluminescentes (LED) efficaces et durables.
- Semi-conducteurs de puissance : Formation de couches isolantes, d'oxydes de grille et d'autres composants à film critique dans les dispositifs semi-conducteurs de puissance.
- MEMS (Systèmes microélectromécaniques) : Fabrication de couches minces précises pour les capteurs, les actionneurs et d'autres dispositifs à l'échelle micro.
- Revêtements optiques : Dépôt de revêtements antireflet, de filtres optiques, de couches protectrices et d'autres composants optiques fonctionnels.
- Cellules solaires à couches minces : Production de couches minces de silicium amorphe et microcristallin, ainsi que d'autres matériaux semi-conducteurs, pour les dispositifs photovoltaïques.
- Modification de surface : Amélioration des propriétés de surface des matériaux, incluant une meilleure résistance à la corrosion, à l'usure, une dureté et une biocompatibilité accrues.
- Nanotechnologie : Synthèse de nanomatériaux avancés, tels que les nanoparticules, les nanofils et les couches ultra-minces pour de nouvelles applications.
Pourquoi choisir KINTEK pour votre technologie PECVD ?
Choisir KINTEK pour vos besoins en PECVD, c'est investir dans la qualité, la fiabilité et des solutions sur mesure :
- Personnalisation approfondie : Nous sommes spécialisés dans la configuration de systèmes PECVD selon vos spécifications exactes, garantissant une performance optimale pour vos applications uniques et vos objectifs de recherche.
- R&D et fabrication avancées : Notre expertise interne stimule l'innovation, nous permettant de proposer une technologie PECVD de pointe.
- Construction de haute qualité : Nos systèmes disposent de conceptions rigides construites avec des matériaux premium comme l'acier inoxydable pour une stabilité, une durabilité et une durée de vie de service prolongée.
- Performance fiable : Conçues pour des résultats cohérents, nos machines PECVD produisent des couches minces uniformes de haute qualité avec une excellente adhérence.
- Assistance complète : De l'installation facile aux exigences de maintenance réduites, nous garantissons que nos systèmes sont conviviaux et soutenus par un service client réactif.
- Polyvalence : Nos machines peuvent déposer une large gamme de matériaux, ce qui les rend adaptées à divers processus de recherche et industriels.
Principe de fonctionnement
Le dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) est un procédé qui utilise le plasma (un gaz ionisé) pour stimuler et améliorer les réactions chimiques pendant le processus de dépôt de couche mince. Contrairement au CVD conventionnel qui repose uniquement sur des températures élevées pour déclencher les réactions, le PECVD utilise un plasma à haute énergie. Ce plasma energise les gaz précurseurs, conduisant à la formation d'espèces réactives à des températures de substrat bien plus basses. Ces espèces réactives s'adsorbent ensuite sur la surface du substrat et subissent des réactions chimiques pour former un film mince solide. Cette méthode permet le dépôt de divers films de haute qualité, tels que SiO2, SiNx et SiOxNy, et est particulièrement efficace pour créer des couches minces de silicium amorphe ou microcristallin utilisées dans les cellules solaires. Les basses températures de traitement minimisent les contraintes thermiques sur les substrats, réduisent les trous d'épingle et empêchent la fissuration, ce qui rend le PECVD idéal pour une gamme plus large de matériaux et d'applications.
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Vous êtes prêt à améliorer vos capacités de dépôt de couches minces ? Les experts de KINTEK sont à votre disposition pour discuter de vos besoins et défis spécifiques de projet. Nous pouvons vous aider à configurer un système de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma parfaitement adapté à vos exigences expérimentales ou de production. Bénéficiez de notre expertise en personnalisation approfondie et de notre technologie avancée pour obtenir des résultats supérieurs.
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Fait Confiance par les Leaders de l'Industrie
FAQ
Quelles Sont Les Principales Applications D'un Four Tubulaire Rotatif ?
Qu'est-ce Qu'un Four Tubulaire Et Comment Fonctionne-t-il ?
Quel Est Le Principe D'un Four Rotatif ?
À Quoi Sert Un Four Rotatif ?
Quelles Sont Les Principales Applications Des Fours Tubulaires Multizones ?
Quelles Sont Les Applications Courantes D'un Four à Tube Divisé ?
Qu'est-ce Qu'un Four Tubulaire Vertical ?
Quelles Sont Les Principales Caractéristiques D'un Four à Tube Rotatif ?
Quelles Sont Les Principales Applications Des Fours Tubulaires ?
Quels Sont Les Avantages De L'utilisation D'un Four Rotatif ?
Quels Sont Les Principaux Types De Fours Rotatifs Disponibles ?
Quelles Sont Les Principales Caractéristiques Des Fours Tubulaires Multizones ?
Quelles Sont Les Principales Caractéristiques D'un Four à Tube Fendu ?
Quelles Sont Les Applications D'un Four Tubulaire Vertical ?
Comment Fonctionne Un Four Tubulaire Rotatif ?
Quels Sont Les Avantages De L'utilisation D'un Four Tubulaire ?
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Comment Fonctionne Un Four Rotatif ?
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Comment Fonctionne Un Four à Tube Vertical ?
Quelle Température Un Four Tubulaire Rotatif Peut-il Atteindre ?
Quelles Plages De Température Les Fours Tubulaires Peuvent-ils Atteindre ?
Comment Un Four Rotatif Traite-t-il Différents Matériaux ?
Quels Sont Les Dispositifs De Sécurité Dont Sont équipés Les Fours Rotatifs ?
Quels Sont Les Types De Fours Tubulaires Multizones Disponibles ?
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Quels Sont Les Types De Fours Tubulaires Verticaux Disponibles ?
Quels Types De Matériaux Peuvent être Traités Dans Un Four Tubulaire Rotatif ?
Les Fours Tubulaires Peuvent-ils Fonctionner Sous Différentes Atmosphères ?
Les Fours Rotatifs Peuvent-ils être Personnalisés Pour Des Applications Spécifiques ?
Pourquoi La Conception En Deux Parties Est-elle Avantageuse Dans Un Four Tubulaire ?
Pourquoi Choisir Un Four Tubulaire Vertical Plutôt Qu'horizontal ?
Qu'est-ce Qui Rend Les Fours Tubulaires KINTEK Si Spéciaux ?
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Les Fours Tubulaires Verticaux Sont-ils Personnalisables ?
Fiche Technique du Produit
Four tubulaire PECVD incliné rotatif pour dépôt chimique amélioré par plasma
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