Le système PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) est conçu pour le dépôt efficace de couches minces avec des fonctions de contrôle avancées.Les principales caractéristiques comprennent le chauffage de la chambre à 80°C, des générateurs RF (30/300W) et LF (600W, 50-460kHz), ainsi qu'un système de vide avec des vitesses d'échappement élevées.Le système permet de manipuler des substrats jusqu'à 460 mm, offre un contrôle de la température de 20°C à 400°C (extensible à 1200°C), et comprend des fonctions telles que la commutation RF pour le contrôle du stress et le nettoyage in situ du plasma.Sa conception compacte, son interface à écran tactile et son fonctionnement économe en énergie le rendent adapté à diverses applications industrielles.
Explication des points clés :
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Production d'énergie et contrôle du plasma
- Générateurs RF:Options 30W et 300W pour un contrôle précis du plasma.
- Générateur LF Générateur LF : unité à semi-conducteurs de 600W fonctionnant à 50-460kHz pour une plus grande flexibilité de dépôt.
- Création de plasma:Utilise une décharge RF, AC ou DC pour ioniser le gaz, ce qui permet des réactions à basse température.En savoir plus sur système de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma .
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Conception de la chambre et des électrodes
- Parois de la chambre chauffée:Maintenu à 80°C pour des conditions de dépôt stables.
- Dimensions des électrodes Les électrodes sont disponibles en deux tailles : 240 mm et 460 mm, pour des plaquettes d'un diamètre maximal de 460 mm.
- Plages de température:L'électrode inférieure chauffe les substrats de 20°C à 400°C (1200°C en option pour les procédés à haute température).
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Système de vide
- Configuration de la pompe:Pompe à palettes à deux étages (160L/min) associée à une pompe moléculaire contrôlée par le TC75.
- Vitesses d'évacuation 60L/s pour l'azote, 55L/s avec filet de protection.
- Taux de compression 2×10⁷ pour N₂, 3×10³ pour H₂, avec une contre-pression maximale de 800Pa.
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Contrôle des gaz et des processus
- Cosse à gaz:Système à 12 lignes avec des lignes à débit massique contrôlé (MFC) pour une distribution précise du gaz.
- Dopants et précurseurs:Prend en charge divers dopants et précurseurs liquides pour des propriétés de film sur mesure.
- Logiciel:La montée en puissance des paramètres permet d'automatiser les ajustements du processus.
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Caractéristiques opérationnelles
- Commutation RF:Ajuste les niveaux de contrainte dans les films déposés.
- Nettoyage in situ:Le nettoyage au plasma avec détection des points d'extrémité réduit les temps d'arrêt.
- Interface à écran tactile:Contrôle intégré pour une plus grande facilité d'utilisation.
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Efficacité énergétique et rendement
- Des températures de fonctionnement plus basses réduisent la consommation d'énergie.
- Des taux de dépôt plus rapides et une conception compacte améliorent le rendement.
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Maintenance et durabilité
- Roulements en céramique:Lubrifié à la graisse avec une durée de vie de 20 000 heures.
- Refroidissement par air forcé:Garantit des performances stables lors d'un fonctionnement prolongé.
Ces spécifications mettent en évidence la polyvalence du système pour la recherche et la production, en équilibrant la précision, l'efficacité et la convivialité.
Tableau récapitulatif :
| Caractéristique | Spécification |
|---|---|
| Génération de puissance | Deux générateurs RF (30W/300W) + LF (600W, 50-460kHz) |
| Chauffage de la chambre | Parois à 80°C, chauffage du substrat (20°C-400°C, extensible à 1200°C) |
| Système de vide | Pompe rotative 160L/min + pompe moléculaire TC75, vitesse d'échappement 60L/s (N₂) |
| Contrôle des gaz | Dosette de gaz MFC à 12 lignes pour les dopants/précurseurs |
| Caractéristiques opérationnelles | Commutation de contrainte RF, nettoyage au plasma in situ, interface à écran tactile |
| Efficacité énergétique | Fonctionnement à basse température, conception compacte, taux de dépôt plus rapides |
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