Connaissance Quelles sont les caractéristiques de la chambre à vide dans les équipements PECVD ?Précision et performance pour le dépôt de couches minces
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Équipe technique · Kintek Furnace

Mis à jour il y a 4 jours

Quelles sont les caractéristiques de la chambre à vide dans les équipements PECVD ?Précision et performance pour le dépôt de couches minces

La chambre à vide de l'équipement PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) est un composant essentiel conçu pour faciliter le dépôt précis de couches minces dans des conditions contrôlées.Ses principales caractéristiques sont sa construction en acier inoxydable, sa conception à couplage capacitif et l'intégration des systèmes de chauffage, de distribution de gaz et de génération de plasma.La chambre permet des opérations à haute température (jusqu'à 1000°C), une rotation réglable de l'échantillon et une distribution uniforme du gaz par l'intermédiaire d'une électrode à tête de douche.Des caractéristiques supplémentaires telles que des fenêtres d'observation, des canaux de refroidissement et des orifices d'évacuation améliorent la fonctionnalité pour des applications allant de la fabrication de semi-conducteurs aux revêtements protecteurs.

Explication des points clés :

  1. Matériau et construction

    • Fabriqué en acier inoxydable (245 mm de diamètre × 300 mm de hauteur) pour une durabilité et une résistance à la corrosion.
    • Comprend des canaux de refroidissement intégrés pour gérer les charges thermiques pendant le fonctionnement.
    • La conception de la porte avant facilite l'accès et l'entretien.
  2. Chauffage et contrôle de la température

    • Supports chauffage de l'échantillon de la température ambiante à plus de 1000°C avec une avec une précision de ±1°C .
    • Équipé d'un plateau chauffant (support d'échantillon de 100 mm de diamètre) pour une distribution thermique uniforme.
    • Le contrôleur de température assure la stabilité, essentielle pour les processus tels que le dépôt de silicium amorphe ou de nitrure.
  3. Distribution de gaz et génération de plasma

    • Utilise une buse de pommeau de douche (pommeau de douche de 100 mm) comme distributeur de gaz et électrode électrode RF pour générer du plasma.
    • L'espacement réglable entre le gaz et le jet (40-100 mm) optimise l'uniformité du film.
    • L'énergie RF (13,56 MHz typique) ionise les gaz, ce qui permet un dépôt à basse température par rapport au dépôt en phase vapeur traditionnel.
  4. Manipulation et rotation des échantillons

    • Table d'échantillonnage rotative (1-20 tr/min) améliore l'uniformité du revêtement en minimisant les effets d'ombre.
    • Les orifices d'évacuation situés sous le niveau de la plaquette éliminent efficacement les sous-produits gazeux.
  5. Caractéristiques supplémentaires

    • Fenêtre d'observation de 100 mm avec un déflecteur pour la surveillance du processus sans risque de contamination.
    • Compatible avec divers revêtements (par exemple, oxydes, nitrures, polymères comme les fluorocarbones) pour des applications flexibles.
    • Conception compacte avec commandes à écran tactile pour une utilisation conviviale.
  6. Applications

    • Idéal pour le dépôt de produits hydrophobe , anti-corrosif ou films diélectriques (par exemple, SiO₂, Si₃N₄).
    • Utilisé dans les dispositifs semi-conducteurs, les revêtements optiques et les couches de protection par l'intermédiaire d'une machine à coudre. machine mpcvd est une technologie de pointe.

La conception de la chambre permet d'équilibrer la précision (par exemple, le contrôle de la température), la flexibilité (compatibilité des matériaux) et l'évolutivité (traitement d'une seule plaquette), ce qui la rend indispensable pour la synthèse de matériaux avancés.Comment ces caractéristiques pourraient-elles correspondre à vos besoins spécifiques en matière de dépôt ?

Tableau récapitulatif :

Caractéristique Description du produit
Matériau : acier inoxydable (245 mm de diamètre × 300 mm de hauteur) avec canaux de refroidissement. Acier inoxydable (245 mm de diamètre × 300 mm de hauteur) avec canaux de refroidissement.
Plage de température Jusqu'à 1000°C avec une précision de ±1°C grâce au plateau chauffé.
Distribution du gaz Buse de douche (100 mm) pour un débit de gaz uniforme et la génération d'un plasma RF.
Manipulation des échantillons Table rotative (1-20 rpm) pour minimiser les effets d'ombre.
Caractéristiques supplémentaires Fenêtre d'observation, orifices d'évacuation et commandes à écran tactile pour faciliter l'utilisation.
Applications Fabrication de semi-conducteurs, revêtements optiques et films de protection.

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