Le système de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma système de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma prend en charge des tailles de plaquettes allant jusqu'à 6 pouces, comme le confirment de nombreuses références.Cette taille standard permet de répondre à divers besoins en matière de dépôt de couches minces tout en équilibrant l'efficacité du processus et l'évolutivité de l'équipement.La conception du système, y compris son électrode inférieure chauffée de 205 mm, s'aligne sur cette capacité de plaquette, permettant des revêtements uniformes pour les semi-conducteurs, l'optique et les applications de films barrières.
Explication des points clés :
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Taille maximale de la plaquette prise en charge
- Le système prend en charge des plaquettes jusqu'à 6 pouces (150 mm) de diamètre, une taille courante pour la recherche et la production à l'échelle pilote.
- Cette capacité est explicitement indiquée dans trois références indépendantes, ce qui en garantit la fiabilité.
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Compatibilité de la conception des équipements
- L'électrode inférieure de électrode inférieure de 205 mm (plus grande que la plaquette de 6 pouces) assure une distribution homogène du plasma et un contrôle de la température pendant le dépôt.
- A orifice de pompage de 160 mm maintient des conditions de vide constantes, essentielles pour une qualité de film uniforme.
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Avantages du procédé pour lesWafers
- Le dépôt à basse température (activée par PECVD) permet d'éviter les contraintes thermiques sur les grandes plaquettes.
- Le logiciel d'augmentation des paramètres permet un contrôle précis des propriétés du film sur toute la surface de la plaquette.
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Applications typiques
- Semi-conducteurs:Dépôt de couches isolantes à base de silicium.
- Emballage:Films barrières aux gaz pour les produits alimentaires/pharmaceutiques (par exemple, protection contre l'oxygène/l'humidité).
- Optiques/revêtements:Carbone de type diamant (DLC) pour la résistance à l'usure.
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Considérations relatives à l'évolutivité
- Bien que 6 pouces soit le maximum référencé, des plaquettes plus petites (par exemple, 4 pouces) peuvent également être traitées à l'aide du même système.
- Le module de gaz à 12 lignes prend en charge divers gaz précurseurs pour des films sur mesure sans modification du matériel.
Pour la production en grande quantité, les utilisateurs doivent vérifier si des systèmes plus grands (par exemple, 8 ou 12 pouces) sont disponibles, car ce modèle se concentre sur la polyvalence pour les besoins à moyenne échelle.La combinaison des électrodes chauffées, du contrôle des gaz et de l'uniformité du plasma en fait un système idéal pour le prototypage ou les revêtements spécialisés.
Tableau récapitulatif :
| Caractéristique | Spécification |
|---|---|
| Taille maximale de la plaquette | 6 pouces (150 mm) |
| Taille de l'électrode inférieure | 205 mm (assure une distribution uniforme du plasma) |
| Orifice de pompage | 160 mm (maintien de la stabilité du vide) |
| Applications principales | Semi-conducteurs, films barrières, revêtements optiques (par ex. DLC) |
| Évolutivité | Compatible avec des wafers plus petits (par ex. 4") et divers gaz précurseurs |
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