Le molybdène est un métal réfractaire aux propriétés thermiques exceptionnelles, ce qui le rend très utile dans les applications à haute température.Son point de fusion de 2610°C et son point d'ébullition de 5560°C lui permettent de résister à des chaleurs extrêmes, tandis que sa conductivité thermique de 142 W/m-K à 20°C garantit un transfert de chaleur efficace.La capacité thermique spécifique de 0,276 kJ/kg-K et la chaleur latente de fusion de 270 kJ/kg soulignent également sa capacité à absorber et à conserver la chaleur sans dégradation structurelle.Ces propriétés font du molybdène un matériau idéal pour les applications suivantes fours à cornue sous atmosphère les éléments chauffants et d'autres processus industriels à haute température.
Les points clés expliqués :
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Points de fusion et d'ébullition élevés
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Point de fusion: 2610°C
- Le molybdène convient donc aux applications nécessitant une stabilité à des températures extrêmes, telles que les composants de fours et les pièces aérospatiales.
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Point d'ébullition:5560°C
- Même à des températures proches de la vaporisation, le molybdène conserve son intégrité structurelle, ce qui est utile dans les environnements sous vide ou sous gaz inerte tels que les fours à cornue sous atmosphère .
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Point de fusion: 2610°C
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Conductivité thermique
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142 W/m-K à 20°C
- La conductivité thermique élevée garantit une dissipation rapide de la chaleur, essentielle pour les éléments chauffants et les contacts électriques.
- Par rapport à d'autres métaux, cette propriété réduit les points chauds dans les applications à haute puissance.
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142 W/m-K à 20°C
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Capacité thermique spécifique
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0,276 kJ/kg-K à 20°C
- Cette valeur modérée indique une absorption efficace de l'énergie sans expansion thermique excessive, ce qui est bénéfique pour les instruments de précision.
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0,276 kJ/kg-K à 20°C
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Chaleur latente de fusion
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270 kJ/kg
- L'énergie nécessaire pour passer de l'état solide à l'état liquide est considérable, ce qui renforce la stabilité du molybdène lors des changements de phase dans des processus tels que le frittage ou la fusion.
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270 kJ/kg
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Propriétés électriques
- Conductivité électrique:34% IACS à 0°C
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Résistivité:53,4 nΩ-m à 20°C
- Bien qu'il ne soit pas aussi conducteur que le cuivre, l'équilibre des propriétés électriques et thermiques du molybdène le destine à des applications hybrides telles que les électrodes ou les substrats de semi-conducteurs.
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Résistance à l'oxydation
- Forme une couche protectrice de dioxyde de silicium à haute température (observée dans le disiliciure de molybdène), bien que le molybdène pur nécessite des atmosphères inertes pour éviter l'oxydation.
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Applications dans les éléments chauffants
- Disponible sous forme de fil, de tige, de bande ou de tube, les propriétés thermiques du molybdène en font un matériau de choix pour les fours à haute température et les appareils de chauffage industriels.
L'ensemble de ces propriétés fait du molybdène un matériau essentiel dans les industries qui exigent durabilité et efficacité sous contrainte thermique.Son intégration dans des systèmes avancés tels que les fours à cornue sous atmosphère souligne sa polyvalence dans les secteurs modernes de la fabrication et de l'énergie.
Tableau récapitulatif :
| Propriété | Valeur | Signification |
|---|---|---|
| Point de fusion | 2610°C | Garantit la stabilité dans des conditions de chaleur extrême (par exemple, composants de fours, aérospatiale). |
| Point d'ébullition | 5560°C | Conserve son intégrité dans les environnements sous vide ou inertes (par exemple, les fours à cornue). |
| Conductivité thermique | 142 W/m-K à 20°C | Empêche la formation de points chauds ; idéal pour les éléments chauffants et les contacts électriques. |
| Capacité thermique spécifique | 0,276 kJ/kg-K à 20°C | Absorption efficace de l'énergie pour les instruments de précision. |
| Chaleur latente de fusion | 270 kJ/kg | Améliore la stabilité pendant les changements de phase (par exemple, le frittage). |
| Conductivité électrique | 34% IACS à 0°C | Équilibre les performances électriques/thermiques (par exemple, substrats de semi-conducteurs). |
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