Le système de vide des équipements PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) est essentiel pour maintenir l'environnement à basse pression nécessaire au dépôt de couches minces.Les principales spécifications comprennent un orifice d'aspiration KF40 et un orifice d'échappement G1 pouce, avec des vitesses d'échappement de 60L/s pour l'azote et de 55L/s avec un filet de protection.Le système utilise des roulements céramiques lubrifiés à la graisse, un refroidissement par air forcé et fonctionne à 69 000 tr/min.Il est équipé d'un contrôleur de pompe moléculaire TC75 et d'une pompe à vide à palettes à deux étages avec une vitesse d'échappement de 160 L/min.Les taux de compression sont de 2x10^7 pour N2 et de 3x10^3 pour H2, avec une contre-pression maximale admissible de 800 Pa et une durée de vie des roulements de 20 000 heures.Les temps de démarrage et d'arrêt sont respectivement de 1,5 à 2 minutes et de 15 à 25 minutes.Ces spécifications garantissent un fonctionnement efficace et stable, essentiel pour un dépôt de film de haute qualité dans des applications telles que la fabrication de semi-conducteurs et les revêtements optiques.
Explication des points clés :
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Configurations des orifices et vitesses d'échappement
- Orifice d'aspiration KF40 et orifice d'échappement G1 pouce:Les raccords normalisés assurent la compatibilité avec d'autres composants à vide.
- Vitesses d'évacuation Les vitesses d'évacuation de l'azote sont de l'ordre de 60 L/s (55 L/s avec le filet de protection), ce qui indique une efficacité de pompage élevée, essentielle pour maintenir des conditions de basse pression pendant la déposition.
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Détails mécaniques et opérationnels
- Roulements céramiques lubrifiés à la graisse:Améliore la durabilité et réduit les frottements à grande vitesse (69 000 tr/min).
- Refroidissement par air forcé:Evite la surchauffe en cas de fonctionnement prolongé.
- Temps de démarrage/arrêt:1,5-2 minutes (démarrage) et 15-25 minutes (arrêt) reflètent la réactivité du système et les protocoles de sécurité.
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Mesures de performance
- Les taux de compression Les taux de compression : 2x10^7 pour N2 et 3x10^3 pour H2 garantissent un traitement efficace des gaz dans différentes conditions de traitement.
- Contre-pression maximale La limite de 800 Pa protège le système contre les dommages dus à la surpression.
- Durée de vie des roulements 20 000 heures indique une fiabilité à long terme, réduisant ainsi les coûts de maintenance.
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Composants intégrés
- Contrôleur de pompe moléculaire TC75:Permet un contrôle précis des niveaux de vide.
- Pompe à palettes à deux étages (160L/min):Fonctionne en tandem avec la pompe moléculaire pour une évacuation efficace des gaz.
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Contexte général du système
- Équipement PECVD, y compris machine mpcvd La plupart du temps, le fabricant intègre ces systèmes à vide avec des réacteurs à radiofréquence (par exemple, à plaques parallèles ou inductifs) pour une génération uniforme de plasma.
- Des caractéristiques telles que le nettoyage in situ du plasma et des étages de plaquettes à température contrôlée (20°C-1200°C) complètent le rôle du système à vide dans l'obtention d'un dépôt de haute pureté.
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Considérations relatives aux applications
- Les spécifications du système de vide ont un impact direct sur la qualité du film dans des applications telles que les cellules solaires, les MEMS et les revêtements à effet barrière.Par exemple, les basses températures de formation de film (<400°C) permettent la déposition sur des substrats sensibles à la chaleur.
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Maintenance et longévité
- Le contrôle régulier de la durée de vie des roulements et des seuils de contre-pression garantit des performances durables, conformes aux normes industrielles pour les outils de fabrication de semi-conducteurs.
En comprenant ces spécifications, les acheteurs peuvent évaluer la compatibilité avec les exigences de leur processus, en équilibrant la vitesse, la précision et la durée de vie opérationnelle.L'intégration de systèmes de vide robustes avec des réacteurs PECVD avancés illustre les technologies qui façonnent tranquillement la microélectronique et la nanotechnologie modernes.
Tableau récapitulatif :
| Spécification | Détails |
|---|---|
| Configurations des orifices | Orifice d'aspiration KF40, orifice d'échappement G1 pouce |
| Vitesses d'évacuation | 60L/s (N₂), 55L/s (avec filet de protection) |
| Roulements et refroidissement | Roulements en céramique (lubrification à la graisse), refroidissement par air forcé, 69 000 tr/min |
| Taux de compression | 2×10⁷ (N₂), 3×10³ (H₂) |
| Contre-pression maximale | 800Pa |
| Durée de vie du palier | 20 000 heures |
| Temps de démarrage/arrêt | 1,5-2 min (démarrage), 15-25 min (arrêt) |
| Composants intégrés | Contrôleur de pompe moléculaire TC75, pompe à palettes à deux étages (160L/min) |
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