Connaissance Pourquoi les plaquettes de c-Si avec des structures pyramidales sont-elles choisies pour les cellules solaires à base de MoS2 ? Améliorer l'efficacité grâce au piégeage de la lumière
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Équipe technique · Kintek Furnace

Mis à jour il y a 1 jour

Pourquoi les plaquettes de c-Si avec des structures pyramidales sont-elles choisies pour les cellules solaires à base de MoS2 ? Améliorer l'efficacité grâce au piégeage de la lumière


Les plaquettes de silicium cristallin (c-Si) constituent la norme fondamentale pour les cellules solaires à hétérojonction de MoS2, principalement en raison de leurs propriétés semi-conductrices matures et prévisibles. Cependant, le choix spécifique de plaquettes avec des structures pyramidales aléatoires micro-texturées est une décision d'ingénierie optique conçue pour minimiser drastiquement la réflexion de la lumière incidente. En utilisant cette géométrie, le substrat agit comme un piège à lumière sophistiqué, prolongeant la longueur du trajet optique pour maximiser l'absorption et faciliter la collecte efficace des porteurs dans le dispositif.

Le choix de ce substrat spécifique est un équilibre entre la stabilité électronique et l'optimisation optique ; tandis que le matériau c-Si fournit la base conductrice, la texture pyramidale garantit que les photons sont capturés plutôt que réfléchis, augmentant ainsi considérablement le potentiel d'efficacité de la cellule.

Pourquoi les plaquettes de c-Si avec des structures pyramidales sont-elles choisies pour les cellules solaires à base de MoS2 ? Améliorer l'efficacité grâce au piégeage de la lumière

La physique du piégeage de la lumière

Minimiser la réflexion de surface

La principale limitation des surfaces planes de silicium est leur tendance naturelle à réfléchir une partie importante de la lumière solaire entrante.

La structure pyramidale aléatoire micro-texturée combat cela en modifiant l'angle d'incidence. Au lieu de renvoyer la lumière directement hors de la cellule, la géométrie pyramidale force la lumière réfléchie à frapper les pyramides adjacentes, donnant au matériau une seconde chance d'absorber le photon.

Augmenter la longueur du trajet optique

L'absorption ne consiste pas seulement à faire entrer la lumière dans la cellule ; il s'agit de la maintenir suffisamment longtemps pour générer de l'énergie.

Ces structures texturées réfractent la lumière sous des angles obliques, la faisant voyager en diagonale à travers la plaquette plutôt qu'en ligne droite. Cela augmente efficacement la longueur du trajet optique, garantissant que les photons interagissent avec davantage de matériau semi-conducteur, ce qui améliore considérablement la probabilité d'absorption.

Synergie avec les hétérojonctions de MoS2

Une plateforme optique idéale

L'interaction entre le silicium massif et la fine couche de MoS2 dépend fortement de la manière dont la lumière est gérée à l'interface.

La référence principale note que cette surface texturée fournit une plateforme optique idéale pour le dépôt ultérieur de couches de MoS2. En gérant le comportement de la lumière au niveau du substrat, le dispositif garantit que la couche de MoS2 fonctionne dans un environnement riche en photons.

Collecte efficace des porteurs

Au-delà de l'optique, l'architecture du substrat joue un rôle dans les performances électriques de la cellule.

La maturité établie des plaquettes de c-Si garantit une interface électronique de haute qualité. Combiné à l'absorption améliorée par la texture, le système prend en charge une collecte efficace des porteurs, permettant aux porteurs de charge générés par la lumière d'être extraits efficacement.

Comprendre les compromis

Défis d'uniformité du dépôt

Bien que supérieure optiquement, les surfaces texturées présentent un défi de fabrication par rapport aux plaquettes planes.

Le dépôt d'une couche uniforme de MoS2 sur un paysage tridimensionnel complexe de pyramides aléatoires nécessite un contrôle précis du processus. Une mauvaise couverture des marches (revêtement inégal des vallées et des pics) peut entraîner des courts-circuits électriques ou des ruptures dans l'interface d'hétérojonction.

Risques de recombinaison de surface

La texturation augmente considérablement la surface totale de la plaquette.

Sans passivation adéquate, cette surface accrue peut introduire davantage de défauts de surface. Ces défauts peuvent agir comme des centres de recombinaison, piégeant les porteurs de charge avant qu'ils ne soient collectés, ce qui contrecarre les gains réalisés en matière d'efficacité optique.

Faire le bon choix pour votre conception

  • Si votre objectif principal est de maximiser le courant de court-circuit (Jsc) : Utilisez des structures pyramidales aléatoires micro-texturées pour exploiter l'effet de "piégeage de la lumière" et la longueur du trajet optique accrue.
  • Si votre objectif principal est la simplicité de fabrication : Reconnaissez que l'obtention d'une couverture conforme de MoS2 sur des surfaces texturées nécessite des techniques de dépôt plus avancées que sur des substrats plans.

En combinant la maturité électronique du c-Si avec la supériorité optique de la texturation pyramidale, vous créez une plateforme robuste optimisée pour une conversion d'énergie haute performance.

Tableau récapitulatif :

Caractéristique Impact sur les performances des cellules solaires à MoS2
Géométrie pyramidale aléatoire Réduit considérablement la réflexion de surface en redirigeant la lumière incidente.
Longueur du trajet optique Augmente la probabilité d'absorption des photons via la réfraction oblique de la lumière.
Maturité du c-Si Fournit une interface électronique stable et de haute qualité pour la collecte des porteurs.
Interface texturée Sert de plateforme optique optimisée pour le dépôt de films minces de MoS2.
Surface Augmente la surface active mais nécessite une passivation minutieuse pour éviter la recombinaison.

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Références

  1. Sel Gi Ryu, Keunjoo Kim. Photoenhanced Galvanic Effect on Carrier Collection of the MOS<sub>2</sub> Contact Layer in Silicon Solar Cells. DOI: 10.1002/pssa.202500039

Cet article est également basé sur des informations techniques de Kintek Furnace Base de Connaissances .

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